Según recoge Engadget, Samsung e IBM han presentado un nuevo diseño para el apilamiento de transistores en forma perpendicular. Esto es aplicable a los chips, sistemas en chip (System on a Chip o SoC) o procesadores. Su ventaja es que reduce el consumo energético o aumenta el rendimiento.
Esta presentación la han hecho en el International Electron Devices Meeting o IEDM en San Francisco, Estados Unidos
Además permitiría a los fabricantes superar la Ley de Moore. Esta determina que cada dos años, aproximadamente, se duplica el número de transistores de un microprocesador sobre la misma superficie.
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Hasta ahora, los transistores de los chips se apilan de forma horizontal y la corriente va de lado a lado. En este nuevo diseño esto cambia y la corriente va en perpendicular. Estos nuevos chips reciben por ello el nombre de Vertical Transport Field Effect Transistors o VTFET.
Estos nuevos Chips pueden ir el doble de rápido o reducir su consumo, pero no ambas cosas a la vez.
Sus aplicaciones abarcan desde la criptominería hasta la autonomía de los smartphones.
De momento ninguna de las dos empresas ha querido decir cuando estará disponible este nuevo avance, pero esperemos que pronto, ya que parece que promete.
